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周守利; 杨万春; 任宏亮; 李伽;
浙江工业大学信息工程学院;
杭州310023;
中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室;
上海200050;
湘潭大学信息工程学院;
湘潭411105;
InAlAs/GaSbAs; InP/GaSbAs; Ⅱ型双异质结双极晶体管;
机译:在亚微米级栅极长度InAlAs / InGaAs / InAlAs / InP LMHEMT中,漏极引起的势垒降低的二维分析模型
机译:具有DC-40 GHz频率响应的0.25 InP DHBT技术的宽带吉尔伯特单元VGA的设计与分析
机译:InP / GaAsSb DHBT器件的直流分析
机译:InAlAs隔离层对InP / InAlAs / GaAsSb / InP DHBT直流特性的影响
机译:超过1 THz带宽的大规模InP / InGaAs DHBT
机译:InGaAs / InAlAs / InP量子级联激光器的In0.52Al0.48As波导层MBE生长条件的优化
机译:InP / GaAsSb / InP DHBT: ud分析特定的材料参数和 ud物理模拟的高电流效应
机译:采用Inp台面DHBT技术,在176 GHz时具有7 dB增益的共基极放大器
机译:InP集电极InGaAsSb基DHBT器件及其形成方法
机译:基于inp收集器ingasassb的DHBT装置及其形成方法
机译:Inp收集器Ingaassb基础dhbt装置及其形成方法
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