SrRuO_(3)超薄膜制备条件和拓扑霍尔效应的关联

摘要

使用激光分子束外延在SrTiO_(3)(001)衬底上生长SrRuO_(3)薄膜,并研究激光能量密度、生长温度和靶材表面烧蚀度等生长参数对于SrRuO_(3)表面形貌、基本磁电性质以及拓扑霍尔效应的影响.当在最优条件下生长SrRuO_(3)薄膜时,样品表面平整、台阶清晰,具有最低的金属-绝缘体转变温度,电阻率最低,且具有最显著的拓扑霍尔效应;而改变生长参数生长的SrRuO_(3)薄膜由于存在更多的缺陷,其表面较粗糙,金属-绝缘体转变温度增大,或表现出绝缘体行为,而拓扑霍尔效应会变弱甚至消失.