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李梅; 宋晓伟; 王晓华; 张宝顺; 李学千;
长春光学精密机械学院高功率半导体激光国家重点实验室;
光致荧光; 分子束外延; 双晶衍射;
机译:压力下分子束表位(MBE)砷化镓(GaAs)/砷化铝铝(GaAlAs)量子阱的深层瞬态光谱法(DLTS)和光致发光(PL)研究:谱带不连续性的鉴定,
机译:混合MOVPE / MBE生长的GaAsBi / GaAs基近红外发射量子阱激光器的特性
机译:MBE在(0 0 1)和(1 1 1)B GaAs上通过MBE生长的In_xGa_(1-x)As / GaAs量子阱结构的弛豫研究,用于长波长应用
机译:MBE生长的GaAlAs / GaAs / GaAlAs量子阱异质结构中带隙的确定:DLTS的应用和静水压力下的光致发光
机译:基于在结构化衬底上生长的低阈值应变InGaAs / GaAs量子阱激光器的光电器件
机译:MBE制备的I型InGaAsSb双量子阱激光结构的PCSEL性能
机译:应变的Gaassb / Gaas量子阱结构由mBE生长的光致发光和带对准为Gaas
机译:mBE生长的InGaassb-alGaassb材料系统中两步RIE制备横向耦合分布反馈激光器结构
机译:具有量子阱-势垒层界面结构的GaAs衬底上的应变层InGaAs量子阱半导体激光器
机译:量子阱结构,光学约束型量子阱结构,半导体激光器,分布式反馈半导体激光器,光谱图和量子阱结构的制造方法
机译:单纵模GaAs / GaAlAs双异质结构激光器
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