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吕玉山; 张辽远; 王军; 冯连东;
沈阳理工大学,机械工程学院,辽宁,沈阳,110168;
中国检疫检验科学研究院,北京,100025;
材料表面与界面; 化学机械抛光; 单晶硅片; 接触压强分布; 平面度误差;
机译:化学机械抛光中的抛光垫调节:调节密度分布模型以预测抛光垫表面形状
机译:金刚石修整剂对钨化学机械抛光中垫表面高度分布的影响
机译:垫表面形貌和浆料粒度分布对化学机械平面化中材料去除率的影响的建模与分析
机译:垫表面形貌演化对化学机械抛光中材料去除率衰减的影响的随机模型(CMP)
机译:化学机械抛光中垫-磨料-晶片接触的力学
机译:化学机械抛光实施后化学机械抛光对钛植入物表面性质的影响FT-IR和钛植入物表面的润湿性数据
机译:气载颗粒磨损方案对Y-TZp陶瓷表面形貌的影响喷砂方案中颗粒在陶瓷Y-TZp表面形貌中的影响
机译:碘化汞单晶上钯接触的光学性质和表面形貌研究。
机译:CMP(化学机械抛光)装置的保持环,用于通过均匀地控制保持环和抛光垫以及压力分布和压力分布之间的接触面积来改善CMP过程中晶片总表面的抛光光洁度。
机译:晶片卡盘的卡盘表面形状测量方法,涉及再现晶片卡盘,背膜,晶片,抛光垫和抛光台之间化学机械抛光过程中产生的机械接触要求
机译:确定球形或非球形样品体宏观光滑表面形貌的方法;涉及使用窄光束扫描表面并在每个测量点测量局部曲率
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