降低半导体桥/斯蒂芬酸铅发火能量的技术途径研究

摘要

进一步降低半导体桥(SCB)换能元件发火能量是微机电系统(MEMS)引信用微型起爆系统发展的瓶颈技术.通过发火感度试验,获得了减小桥区尺寸、增加V型缺口、适当长宽比、降低药剂粒度等是降低SCB发火能量的有效技术途径.在试验方案范围内获得最小全发火电压3.83V,发火能量0.073 mJ,最大不发火电流229.88 mA.分析发火现象和电特性曲线得出:SCB换能元的桥区面积7.65×102 μm2,质量3.55 ×10-6 mg,临界发火属于电热发火;桥区面积5.68×102μm2,质量2.64×10-6mg,临界发火属于电爆发火.