The George Washington University.;
机译:具有高掺杂InGaAs源/漏区的20-nm增强模式变质GaAs HEMT,适用于高频应用
机译:ZnO / GaAs系统中的表面声波引导传播和压电场增强
机译:弹性表面声波的半波耦合振幅分析及其在布鲁斯坦-居利亚夫波二次谐波中的应用
机译:用于HBT应用的高p型掺杂GaAsSb:C的生长
机译:高速VCSEL的高应变P型调制掺杂有源区。
机译:使用表面声波增强p型GaAs的光发射
机译:高掺杂P型GaAs基板上表面声波的产生和增强
机译:用于化学传感和RF滤波器应用的基于Gaas的单片声表面波器件的开发;复合半导体杂志