The University of Wisconsin - Madison.;
机译:GaInAsP / InP单量子阱(SQW)激光器,具有朝向量子线激光器的线状有源区
机译:具有GaInNAsSb / GaNAs量子阱有源区的可能的1.5微米基于GaAs的垂直腔面发射激光二极管的结构优化
机译:基于量子限制的AlInGaAs / InP异质结构的大功率单模激光二极管(λ= 1.1-1.2μm)
机译:基于Alxgayin1-X-YAS / INP的高功率激光二极管应变补偿有源区
机译:具有量子点有源区的高性能激光器和自旋极化发光二极管。
机译:II型InAs / GaInAsSb量子阱中的界面混合设计用于中红外发射带间级联激光器的有源区域
机译:具有压缩应变InGaasp量子阱的730nm发射无al有源区二极管激光器
机译:高功率GaInasp / Inp表面发光二极管激光器的单片二维阵列。