Case Western Reserve University.;
机译:O_2 / Ar气体混合物中4H-SiC(0001)表面热氧化的被动-主动氧化边界及其对SiO_2 / SiC界面质量的影响
机译:高温热传感器应用的SIC的电气特性
机译:氧化铝钝化层Si / SiC量子点超晶格太阳能电池的物理和电气特性
机译:通过等离子体氮化4H-SiC(0001)表面的热氧化改善SiC-MOS界面的电性能
机译:原位钢化SiC陶瓷,添加Al-B-C和氧化物涂层的SiC薄片/ SiC复合材料。
机译:由硅烷阴离子MeSiC4Ph4合成11-双(1-甲基/氯-2345-四苯基-1-硅环戊二烯基)Ph4C4Si(Me / Cl)-(Me / Cl)SiC4Ph4 −•Li +或Na +和Silole Dianion SiC4Ph4 2-•2 Li +;氯化亚铁(FeCl2)对硅阴离子MeSiC4Ph4-•Li +或Na +的氧化偶联和氯化铜(CuCl2)对硅阴离子SiC4Ph4 2-•2 Li +的氧化偶联和氯化处理
机译:p型6H-siC(0001)上热生长氧化物纳米薄膜的密度分布和电学性质
机译:具有siC,Tasi2和LaB6添加剂的全密集HfB2和ZrB2的抗氧化性,导电性和导热性以及光谱发射率。