CFETR氦冷固态氚增殖包层中子学设计与计算分析

目录

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第1章 引言

1.1研究背景及意义

1.2核聚变及其包层概述

1.2.1核聚变实现的理论依据

1.2.2聚变堆包层研究简介

1.3国内外聚变堆包层研究进展

1.3.1国际ITER项目实验包层模块概况

1.3.2中国CFETR项目包层设计进展

1.4 CFETR氦冷固态氚增殖包层研究目标及意义

1.5论文的主要工作及创新点

1.5.1 研究内容及章节安排

1.5.2论文的创新点

第2章 聚变中子学理论与计算方法

2.1中子输运理论概述

2.2中子输运方程的建立及求解方法

2.2.1中子输运方程的建立

2.2.2 Monte Carlo方法

2.2.3 MCNP软件及程序介绍

2.3核数据库

2.4本章小结

第3章 HCCB包层设计内容及增殖单元的中子学设计分析

3.1 HCCB包层设计原则及要求

3.1.1包层设计原则

3.1.2包层中子学设计要求

3.2 CFETR包层材料选取

3.2.1第一壁及其他相关结构材料

3.2.2氚增殖剂

3.2.3中子倍增剂

3.2.4面向等离子体材料

3.3增殖单元优化设计及中子学分析

3.3.1增殖单元模型设计分析

3.3.2硅酸锂（Li4SiO4）球床、铍（Be）球床厚度的选择

3.3.3产氚区与第一壁距离变化对对TBR的影响

3.3.4第一壁前壁厚度对TBR的影响

3.3.5增殖区材料填充率对TBR的影响

3.3.6增殖单元MCNP中子学优化模型

3.4本章小结

第4章 CFETR-HCCB包层三维模型的建立与中子学分析

4.1 CFETR物理设计及包层模块堆内空间布局

4.2 CFETR三维中子学参数化建模软件研制

4.2.1包层参数化3D建模软件-CFETR PM

4.2.2包层参数化MCNP建模软件-CFETR MM

4.3 中子源强分布描述

4.4 CFETR-HCCB包层3D模型的计算与分析

4.4.1产氚性能评估与分析

4.4.2中子壁负载计算与分析

4.4.3核热沉积计算与分析

4.5本章小结

第5章 总结与展望

5.1总结

5.2展望

致谢

参考文献