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第一章前言
1.1课题意义
1.2研究内容
第二章文献综述
2.1 ZnO的基本性质
2.2稀磁半导体材料及其研究概况
2.2.1稀磁半导体材料的基本概念
2.2.2稀磁半导体的物理性质
2.2.3稀磁半导体的物理机制
2.2.4稀磁半导体材料的分类
2.3 ZnO基稀磁半导体材料的制备技术
2.3.1脉冲激光沉积法(PLD)
2.3.2溶胶凝胶法(sol-gel)
2.3.3溅射技术
2.3.4离子注入技术
2.3.5分子束外延法(MBE)
2.4稀磁半导体合成中存在的重要问题
第三章实验原理和实验过程
3.1脉冲激光沉积(PLD)概述
3.1.1 PLD的基本原理
3.1.2 PLD特点
3.1.3 PLD薄膜生长实验系统简介
3.2实验方法
3.3表征手段及原理
3.3.1 X射线衍射(XRD)
3.3.2场发射扫描电镜(FESEM)
3.3.3光致发光谱(PL)
3.3.4 X射线光电子能谱(XPS)
3.3.5 Hall测试
3.3.6紫外-可见光谱(UV-VIS)测试
3.3.7 SQUID测试
第四章Co掺杂ZnO薄膜的制备与表征
4.1薄膜制备
4.2衬底温度对薄膜性能的影响
4.2.1薄膜形貌、结构分析
4.2.2电学性能分析
4.2.3光学性能分析
4.2.4磁学性能分析
4.3压强对薄膜性能的影响
4.3.1薄膜形貌、结构分析
4.3.2电学性能分析
4.3.3光学性能分析
4.4 Co、Mn共掺杂对薄膜性能的影响
4.4.1薄膜形貌、结构分析
4.4.2磁学性能分析
4.5本章小结
第五章Co、Ga共掺杂及N20气氛下Co掺杂ZnO薄膜的制备与表征
5.1薄膜制备
5.2结果与分析
5.2.1薄膜形貌、结构分析
5.2.2电学性能分析
5.2.3磁学性能分析
5.3本章小结
第六章总结
参考文献
硕士期间发表的论文及专利成果
致谢