封面
声明
答辩决议书
中文摘要
英文摘要
目录
第一章 绪论
1.1微电子技术的发展现状以及发展趋势
1.2过渡族金属硅化物在微电子领域中的应用及其研究现状
1.3论文的研究目的和意义
第二章 实验方法
2.1扫描隧道显微镜
2.2扫描隧道显微镜分子束外延系统
2.3扫描探针的制备
2.4 X射线光电子能谱(XPS)
2.5电子背散射衍射(EBSD)
2.6 Si(111)-7×7与Si(110)-2×1重构表面
第三章 Si衬底上生长的铁硅化合物结构和取向分析[58]
3.1引言
3.2实验方法
3.3结果及讨论
3.4本章小结
第四章 Si(110)衬底上外延生长铁硅纳米线的XPS及TEM研究
4.1引言
4.2实验方法
4.3结果及讨论
4.4本章小结
第五章 全文总结
参考文献
致谢
攻读硕士学位期间已发表或录用的论文