量子点形成时的界面互扩散及硼对Ge量子点生长的影响

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该文主要讨论了二个方面的内容:最子点形成时的Ge/Si界面互扩散以及硼原子对Ge量子点自组织生长的影响.1.用拉曼光谱研究了外延的Ge层与Si衬底在Ge量子点形成过程中的Ge/Si界面互扩散.我们用分子束外延生长了一层完全应变的Ge层,退火形成Ge量子点.实验发现最子点没有形成之前,Ge/Si界面的互扩散很不明显,最子点一旦形成界面的互扩散变得很严重了,量子点的形成加剧了界面的互扩散.2.研究了硼原子对Si(100)衬底上的Ge量子点自组织生长的影响.在外延Ge层之前,预先淀积了一层棚原子,硼原子的数量为0到0.3单原子层.原子力显微镜的观察表明,硼原子不仅对量子点的大小,而且对其尺寸均匀性及密度都有很大影响.

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作者
周星飞;
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作者单位

复旦大学;

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授予单位复旦大学;
学科凝聚态物理
授予学位硕士
导师姓名蒋最敏;
年度 2000
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原文格式 PDF
正文语种中文
中图分类 O492;
关键词
Ge/Si界面互扩散; 分子束外延; 量子点;

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