摘要
Abstract
第1章 导论
1.1 嵌入式存储器研究现状
1.2 几种新型嵌入式动态随机存储器
1.2.1 1T1C eDRAM
1.2.2 1T-SRAM
1.2.3 2T-SRAM
1.2.4 FBC
1.3 2T Gain Cell
1.4 论文的主要工作和技术要点
1.5 论文的组织结构
第2章 2T Gain Cell单元特性与设计技术难点
2.1 难点1:2T Gain Cell单元特性——t_(retention)太短
2.2 难点2:2T Gain Cell操作方式——需要负电压
2.3 难点3:2T Gain Cell Retention Time Vs.Temperature
2.4 难点4:2T Gain Cell Retention Time Vs.Disturbance
第3章 具有低功耗刷新特点的eDRAM芯片架构
第4章 单元结构优化
4.1 工艺优化
4.2 版图结构优化
4.3 Data retention time改进
第5章 负电压操作及相关设计
5.1 负电压操作在设计中的困难
5.2 负压传输电路设计
5.3 负电压片上产生电路——Negative Voltage Charge Pump
5.3.1 电荷泵工作原理简介
5.3.2 负压电荷泵设计指标
5.3.3 电路设计与参数计算
5.3.4 负压电荷泵版图与后仿结果
第6章 基于监测单元的温度自适应刷新及写电压调整方案
6.1 传统的温度自适应刷新方案
6.2 基于监测单元的温度自适应刷新及写电压调整方案
6.3 核心电路实现
6.3.1 258位快速比较器——Mutual Comparator
6.3.2 WBL写电压控制逻辑
6.4 动态刷新功耗的优化
第7章 总结与展望
参考文献
论文及专利发表情况
致谢
