封面
声明
中文摘要
英文摘要
目录
1 绪论
1.1 研究背景与意义
1.2 硬脆材料研磨技术的发展
1.3 研磨过程材料去除机理
1.4 研磨工艺参数对材料去除率(MRR)的影响
1.5 超声研磨技术
1.6 主要研究内容
2 SiC单晶片平面研磨机理及材料去除率模型的建立与分析
2.1 研磨原理
2.2 研磨过程材料去除率模型的研究
2.3 平面研磨材料去除数值仿真
2.4 实验验证
2.4 本章小结
3 单颗磨粒对SiC单晶片的研磨仿真与实验
3.1 单颗磨粒平面研磨仿真
3.2 实验验证
3.3 三体加工仿真
3.4 本章小结
4 超声波辅助研磨加工建模及分析
4.1 超声波辅助研磨加工原理
4.2 超声加载下单颗磨粒三体磨损材料去除率模型
4.3 材料去除率模型的建立
4.4 超声辅助研磨材料去除数值模拟
4.5 本章小结
5 结论与展望
5.1 结论
5.2 展望
致谢
参考文献
在校期间发表论文及参与项目