声明
1 绪论
1.1 引言
1.2 忆阻器概述
1.2.1 忆阻器概念及物理判据
1.2.2 忆阻器电阻开关机制
1.3 金属导电通道型忆阻器电阻开关行为
1.3.1 非易失记忆开关行为
1.3.2 易失性阈值开关行为
1.4 本文的选题意义、研究内容及结构安排
2 Cu导电通道忆阻器记忆开关行为研究
2.1 引言
2.2 GeTe非晶薄膜制备及特性研究
2.2.1 GeTe薄膜制备工艺
2.2.2 GeTe薄膜表征分析
2.3 Cu/GeTe/TiN忆阻器制备
2.4 Cu/GeTe/TiN忆阻特性测试及物理机制探究
2.4.1 器件电学特性测试分析
2.4.2 器件导电机制分析探究
2.5 Cu/GeTe/TiN忆阻器可重构逻辑应用
2.6 本章小结
3 Cu导电通道忆阻器阈值开关行为研究
3.1 引言
3.2 CuxTe1-x/GeTe/TiN忆阻器阈值开关行为
3.2.1 CuxTe1-x薄膜制备与表征
3.2.2 CuxTe1-x/GeTe/TiN器件制备与基本电学特性
3.2.3 CuxTe1-x/GeTe/TiN器件特性分析
3.3 Cu/Ta/GeTe/TiN忆阻器阈值开关行为
3.3.1 Cu/Ta/GeTe/TiN器件制备
3.3.2 Ta金属层厚度对器件阈值开关行为影响
3.3.3 限制电流对器件阈值开关行为影响
3.4 本章小结
4 总结与展望
4.1 总结
4.2 展望
致谢
参考文献
附录1 攻读硕士学位期间发表论文目录
