Sensor Electronic Technology, Inc., Columbia, SC2909, U.S.A.;
机译:AlN衬底上的光泵浦AlGaN / AlN异质结构在257 nm处激发的发射
机译:在块状AlN衬底上生长的AlGaN多量子阱中的高内部量子效率
机译:在半极性(20-21)块状AlN衬底上生长的AlGaN多量子阱的结构和光学表征
机译:在散装ALN基材上生长的ALN / ALAGAN量子孔258nm的刺激发射
机译:块状AlN单晶衬底上的富铝AlGaN和AlN生长
机译:通过无光刻法在AlN纳米棒上的深紫外AlGaN / AlN核壳多量子阱
机译:在蓝宝石衬底上生长的基于alGaN的多量子阱激光器在249 nm和256 nm处的低阈值受激发射