II-VI Inc., Saxonburg PA;
机译:6H n碳化硅(SiC)单晶的熔融KOH蚀刻中的微管和缺陷研究
机译:硬X射线中Zernike相衬法在碳化硅单晶中微管无损成像中的可能性的理论分析
机译:碳化硅块状晶体中微管形态特征形成的机理
机译:碳化硅晶体微皮缺陷分布的统计分析
机译:4H碳化硅散装晶体,外延层和功率装置的缺陷结构分析
机译:挪威碳化硅行业中纤维结晶二氧化硅碳化硅和二氧化硫的暴露
机译:反应烧结碳化硅和单晶4H碳化硅阳极氧化抛光表面性能的比较分析
机译:具有缺陷的陶瓷晶体的几何非线性模型应用于碳化硅(siC)