Semiconductor Technology Lab, GE Global Research Center, Niskayuna, NY 12309;
机译:金属有机气相外延生长的蓝色和绿色InGaN / GaN多量子阱发光二极管的比较
机译:在独立式GaN衬底上生长的InGaN / GaN多量子阱蓝色发光二极管中的效率下降
机译:InGaN / GaN多量子阱蓝色发光二极管中的效率下降与电致发光的蓝移之间的相关性
机译:绿色,蓝色和UV Ingan / GaN MLTIPUR-量子孔发光二极管的低温操作
机译:以极性,半极性和非极性方向生长的InGaN / GaN多量子阱发光二极管。
机译:InGaN / GaN多量子阱发光二极管中的光电性能变化:电位波动的影响
机译:在纳米孔GaN层上生长的IngaN / GaN多量子孔发光二极管的增强性能