Department of Microelectronics and Information Technology, KTH, Royal Institute of Technology, Electrum 229, S-164 40 Stockholm-Kista, SWEDEN;
机译:碳化硅碳化硅和氧化硅涂层高温氧化行为,提高其对高温氧化的抗性
机译:非晶氢化碳化硅薄膜与碳化硅的低温直接键合工艺及机理
机译:基于高温碳化硅的柔性电子,用于监测危险环境
机译:从硅到碳化硅的EV应用转变为碳化硅:帮助电力电子设计界克服使用碳化硅的EV应用的可靠性挑战
机译:用于高温(500摄氏度)操作的6H碳化硅和4H碳化硅电子器件的处理和表征。
机译:高温功率电子器件用碳化硅转换器和MEMS器件的评论
机译:碳化硅电子的辐射硬度和工作温度对空间电源系统质量的影响
机译:碳化硅基材料的高温发射率。第1卷:碳化硅基材料的高温正常光谱发射率。第2卷。热处理对碳化硅基材料发射率的影响。专题报道