Nano-Device Laboratory Department of Electrical Engineering University of California -Riverside Riverside, California 92521;
机译:具有p型GaN栅极触点的高漏极电流和低导通电阻的常关模式AlGaN / GaN结HFET
机译:AlGaN / GaN电子器件中GaN与衬底之间的热边界电阻
机译:块状GaN衬底上的AlGaN / GaN HFET的热性能
机译:AlGaN / GaN HFET中的热辐射电阻和热扩散
机译:自旋相关的热传递和热边界电阻。
机译:Algan / GaN HFET和VO的调查
机译:微波大信号条件下AlGaN / GaN功率HFET的直接晶片上无创热监测
机译:结合GaN衬底热边界电阻的氮化镓(GaN)高电子迁移率晶体管(HEmT)器件的混合多栅模型。