ZAIKEN, Waseda University, 2-8-26 Nishiwaseda, Tokyo 169-0051, Japan;
β-Ga_2O_3; single crystal; GaN; substrate; transparent conductive oxide; MOCVD; LED;
机译:新型透明导电氧化物单晶β-Ga2O(3):Sn的生长和表征
机译:(La,Sr)(Al,Ta)O-3单晶的生长和表征:GaN外延生长的有前途的衬底
机译:利用Ga熔体和Na蒸气在棱柱状Gan种子上生长无色透明Gan单晶
机译:β-Ga_2O_3单晶作为GaN透明导电衬底的生长和表征
机译:Ga2O 3单晶基板和外延层的生长,表征和接触
机译:GaN核和InGaN / GaN多重外延生长导热铍上的量子阱核/壳纳米线氧化物基板
机译:.beta.-ga2o3单晶作为透明导电基板的生长