Chartered Semiconductor Manufacturing Ltd., 60 Woodls Industrial Park D Street 2, Singapore 738406;
RC delay; trench depth; profile reconstruction; tilt; damascene;
机译:整体计量方法:利用散射测量,临界尺寸-原子力显微镜和临界尺寸扫描电子显微镜的混合计量
机译:关键尺寸扫描电子显微镜在25 nm间距光栅参考下的放大倍率校准
机译:临界尺寸扫描电子显微镜测量条件优化研究
机译:一种新的方法来表征沟槽深度和轮廓使用临界尺寸扫描电子显微镜在65nm技术节点的3D倾斜能力
机译:混合(III-V)y(IV)5-2y半导体的合成:扩展Si和Ge技术的光电功能的新方法。
机译:用电子医疗记录在不同队列之间表征发病率特征的分析方法
机译:在Si上生长的AlGaN / GaN异质结构中菌株的深度谱差异,其特征在于电子反向散射衍射技术
机译:在分析电子显微镜中测定倾斜的au样品的X射线产生的光谱(Rho Z)的深度分布