LSAT 単結晶基板表面に形成したステップ-テラス構造の再表面原子層

摘要

LSATは化学式(La_(0.3)Sr_(0.7))(Al_(0.65)Ta_(0.35))O_3で表記される立方晶系複合ペロブスカイト構造を有する酸化物であり、青色発光ダイオードの材料となるGaNや高温超電導体のYBCOの薄膜成長用基板結晶として期待されている。この薄膜成長用基板結晶の表面状態は、育成される薄膜結晶に大きな影響を及ぼすため、基板表面における均一なステップ-テラス構造の形成及び最表面原子層の原子カラム種の特定は非常に重要である。しかしLSATは未だ体系的な表面制御法が確立されておらず、表面構造に関して不明瞭な点が多い。そこで本研究では、LSAT単結晶基板の表面制御及び最表面原子層の原子カラム種の決定を目的として、表面終端構造の酸素分圧等の熱処理条件依存性について調べた。