Ba(Fe1-xCox)_2As_2 エピタキシャル薄膜における特異な圧力効果と電子輸送特性

摘要

鉄系超伝導体は、外部圧力によるTc増加が他の超伝導体では見られないほど大きいことが知られている[1, 2]。バルク体試料だけでなく薄膜試料においても、Ba(Fe,Co)_2As_2において、基板との格子ミスマッチによるエピタキシャル歪によって異方的な圧力を印加することでTcが変化することが報告されている[3]。一方、エピタキシャル薄膜に外部圧力を印加することで、基板と薄膜との熱膨張率差や圧縮率差、エピタキシャル歪も利用してより複合的かつ異方的な圧力を印加し、さらなるTcの上昇が期待できるが、研究例が殆ど無い。そこで我々は、異なる単結晶基板上に最適ドープBa(Fe,Co)_2As_2エピタキシャル薄膜を製膜し、それぞれの試料に外部圧力を印加し、その超伝導特性?電子輸送特性に対する圧力効果を評価した。