Fe および RE シリサイド生成に対するドロップチューブプロセスの効果

摘要

我々はこれまで自由落下部2.5mを有するショートドロップチューブ装置を用いてInSbとGaSb2元Ⅲ-Ⅴ族化合物半導体単結晶微粒子生成について報告を行ってきた[1], [2], [3].本研究は, ドロップチューブプロセスを用いてFeおよびRE(Nd, Gd)添加Si微粒子を作製し, シリサイド生成に対する本プロセスの有効性について検討することを目的とした.