Silicon carbide; MOSFET; Logic gates; Oscillators; Batteries; Switches; Switching frequency;
机译:4H-SiC MOSFET的重复非钳位感应开关感应电参数降级和仿真优化
机译:通过Si IGBT / BiMOSFET实现1700V,50A SiC功率MOSFET的高开关性能,适用于高级功率转换应用
机译:基于高开关频率的SIC MOSFET的功率逆变器损耗分析及效率优化
机译:SiC MOSFET切换特性优化和电池充电/放电的应用
机译:1.2 kV 4H-SiC平面栅极功率MOSFET的设计,分析和优化,用于改进的高频切换
机译:4H-SIC双沟MOSFET采用分流异质结闸用于改善开关特性
机译:异结二极管屏蔽SIC分流栅极沟槽MOSFET,具有优化的反向恢复特性和低开关损耗