Cadmium compounds; II-VI semiconductor materials; Molecular beam epitaxial growth; Semiconductor process modeling; Silicon; Substrates; cadmium telluride; characterization; heteroepilayers; photovoltaic device; silicon; stoichiometry;
机译:未掺杂的高电阻率CdTe晶体中与化学计量有关的补偿的证据
机译:衬底处理和前驱体化学计量对MOVPE在检测器级(111)B-CdTe晶体上生长的CdTe的同质性的影响
机译:无毒氯化物处理对CdTe太阳电池微结构和化学计量的影响的比较研究
机译:化学计量在短截上的未掺杂CDTE异质体中的影响
机译:掺杂和未掺杂的氢化非晶硅薄膜中纳米晶硅夹杂物的影响。
机译:CdTe胶体纳米晶体的声子拉曼光谱:尺寸非化学计量和配体交换的影响
机译:CdTe薄膜太阳能电池未掺杂SnO2缓冲层的光发射研究
机译:用于物理气相输送的CdTe原料的气相化学计量和热处理