Electrical and Computer Engineering Department, University of California -San Deigo, 9500 Gilman Drive, La Jolla, CA 92093, USA;
机译:GaN / InGaN / GaN HBT的高直流电流增益结构分析
机译:具有300 / spl deg / C的工作温度的高电流增益InGaN / GaN HBT
机译:具有重新生长的基础层的GaN / InGaN HBT的高电流增益为3000
机译:GaN / Ingan / GaN Hbts高直流电流增益结构分析
机译:GaN / InGaN发光二极管中量子阱结构的建模和分析。
机译:聚苯乙烯纳米光学光刻法制备的光子晶体结构P-GAN纳米棒的研究提高了INGAN / GAN绿色发光二极管光提取效率
机译:具有p-GaN / n-GaN / p-GaN / n-GaN / p-GaN电流扩散层的改进型InGaN / GaN发光二极管
机译:用于激光二极管应用的GaN,InGaN和GaN / InGaN量子阱结构的mBE生长和性质