Department of Electrical and Computer Engineering University of California, Santa Barbara, California 93106, USA;
机译:具有改善的功率和噪声性能的新型场镀GaN HEMT结构
机译:大功率场致氮化镓HEMT的亚1 dB噪声系数性能
机译:现场镀甘氨酸盐的噪声特性
机译:一种新的镀磁场,具有改善的功率和噪声性能
机译:研究常关模式的AlGaN / GaN MOS HEMT器件,该器件利用栅极后退和p-GaN栅极结构以及带有醛生长的高k栅极绝缘体来实现高功率应用。
机译:使用多层堆叠的AlGaN / GaN结构改善紫外发光二极管的电流扩展性能
机译:适用于坚固型HF接收器的InAlN / GaN HEMT技术:HF和LF噪声性能概述