University of Illinois, 208 N. Wright Street, Urbana, IL 61801, USA;
机译:F_T> 500 GHZ的I型InP HBT的垂直缩放
机译:f_T = 300 GHz和最大最大振荡频率的InP / GaAsSb / InP DHBT:缩放对器件性能的影响
机译:超过300 GHz f_t·的高度可靠的基于亚微米InP的HBT
机译:Ⅰ型INP HBT的垂直缩放,F_T> 500 GHz
机译:InP HBT功率放大器MMIC在220GHz时可达到0.4W
机译:健康和良性大鼠乳腺组织从500 MHz到18 GHz的体内介电特性
机译:基于250 nm InP / InGaAs / InP DHBT工艺的140-220 GHz成像前端