81.40. -z; 43.35.+d; 71.55.Gs;
机译:通过声学处理提高CdTe基板质量
机译:在GaAs(100)衬底上使用高质量CdTe(100)膜对InSb / CdTe和PbTe / CdTe异质体系进行分子束外延生长
机译:在GaAs(100)衬底上使用高质量CdTe(100)膜对InSb / CdTe和PbTe / CdTe异质体系进行分子束外延生长
机译:声学处理改善CDTE基底质量
机译:Si衬底取向对通过闭空间升华(CSS)在不使用掩模的情况下对Si(111)和Si(211)衬底上CdTe选择性生长的质量的影响
机译:CdCl2热处理改善太阳能电池ZnO / CdTe核壳纳米线阵列的物理性能
机译:使用等离子体蚀刻处理对金刚石衬底的晶体型成金刚石层的晶体质量的提高
机译:HgCdTe外延CdZnTe衬底的材料质量表征