Department of Electrical, Computer and Systems Engineering Rensselaer Polytechnic Institute, Troy, NY- 12180;
机译:GaSb上MBE生长的Ga_(1-x)In_xSb的临界厚度(x <0.2)
机译:在垂直布里奇曼生长的Ga_(1-x)In_xSb块状晶体中,强迫对流引起的固液界面热波动及其对径向合金分布的影响
机译:天然缺陷对未掺杂Ga_(1-x)In_xSb块状晶体红外传输的影响
机译:Gasb和Ga_(1-x)在散装基板中使用扩散结技术in_xsb蒸汽电池
机译:减少在GaAs底物上生长在GaAs底物上的喘气脱位,用于光伏和蒸煮器应用
机译:人类细胞中的霍利迪接头解析:两种具有不同底物特异性的接头核酸内切酶
机译:lnAs / Ga_(1-x)In_xSb应变层超晶格生长的反射高能电子衍射研究
机译:锌扩散多晶Gasb上的热光电池