首页> 外文会议>Fifth Conference on Thermophotovoltaic Generation of Electricity; Sep 16-19, 2002; Rome, Italy >Diffusion of Zn in TPV materials: GaSb, InGaSb, InGaAsSb and InAsSbP
【24h】

Diffusion of Zn in TPV materials: GaSb, InGaSb, InGaAsSb and InAsSbP

机译:TPV材料中的Zn扩散:GaSb,InGaSb,InGaAsSb和InAsSbP

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摘要

This paper reviews recent results of the study of Zn diffusion from the vapor phase in important thermophotovoltaic (TPV) materials such as GaSb-, InGaAsSb-, InGaSb- and InAsSbP. Peculiarities of Zn diffusion in each of these materials and different ways of tailoring the Zn diffusion profile for fabrication of optimized emitters in TPV cells are discussed.
机译:本文回顾了重要的热光伏(TPV)材料(例如GaSb-,InGaAsSb-,InGaSb-和InAsSbP)中气相中Zn扩散研究的最新结果。讨论了每种材料中Zn扩散的特殊性以及为在TPV电池中制造优化的发射极而定制Zn扩散曲线的不同方法。

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