Photonics Laboratory, Chalmers University of Technology, Gothenburg 41296, Sweden;
Photonics Laboratory, Chalmers University of Technology, Gothenburg 41296, Sweden;
State Key Laboratory for Superlattice and Microstructures, Institute of Semiconductors, Ch;
metamorphic; telecom laser; InGaAs; quantum well; GaAs; molecular beam epitaxy; compositionally graded buffer layer;
机译:分子束外延在GaAs上生长1.25-1.29μmInGaAs量子阱激光器
机译:GaAs衬底上的1.27μm变质InGaAs量子阱激光器
机译:GaAs衬底上1.5μm范围的变质InAs-InGaAs量子点激光器中的超高增益和非辐射重组通道
机译:GaAs上的变形Ingaas电信激光
机译:高功率铝的制造:用于光学泵浦的0.8微米至1.0微米的InGaAsP / InGaP / GaAs激光器
机译:变质InAs / InGaAs / GaAs量子点异质结构光电压中的双极效应:光敏器件的表征和设计解决方案
机译:GaAs衬底上生长的变质InAs / InGaAs纳米结构在电信波长处的单量子点发射
机译:具有低应力变质底部结的倒置GaInp /(In)Gaas / InGaas三结太阳能电池:预印