Dept. of Electrical and Computer Engineering, Univ. of Wisconsin-Madison, Madison WI, USA 53706;
Dept. of Electrical and Computer Engineering, Univ. of Wisconsin-Madison, Madison WI, USA 53706;
Dept. of Electrical and Computer Engineering, Univ. of Wiscons;
quantum cascade laser; mid-infrared; strain-compensated; characteristic temperature of threshold current;
机译:MOCVD法生长的中红外深阱量子级联激光器的特性
机译:发射4.5至5.0μm量子级联激光器中的深层结构的电子泄漏及其抑制
机译:发射4.5至5.0μm量子级联激光器中的深层结构的电子泄漏及其抑制
机译:深井4.8μm发光的量子级联激光器由MOCVD生长
机译:短波长铟铝镓磷化镁井激光器和磷化铟量子点耦合到应变铟铝镓磷化钯量子孔孔孔,由MOCVD种植
机译:以AlN / GaN超晶格为阻挡层的MOCVD法生长GaN HEMT中的2-DEG特性
机译:MOCVD种植的铟 - 氮化铟 - 氮化物多量子井蓝色激光二极管的特征
机译:通过mOCVD生长的稀氮化物II型量子阱激光器