Department of Physics, North China Institute of Technology, 030051 Taiyuan, China;
机译:用导纳光谱法确定MOVPE生长的In_(0.48)Ga_(0.52)P / GaAs多量子阱的价带偏移
机译:Zn1-XMNXSE / ZnSe的化学价带偏移的偏移的测定高X的多量子阱结构
机译:在间隙(001)上生长的GASB量子点的形态和价带偏移及其在封盖时的进化
机译:多量子阱中的价带偏移
机译:RPECVD制备的硅酸alloy合金的光谱研究:导带/价带偏移能和光学带隙的比较。
机译:X射线光电子能谱法测量β-Ga2O3/纤锌矿GaN异质结构的价带偏移
机译:价带偏移,应变和形状对封闭态的影响 自组装Inas / Inp和Inas / Gaas量子点
机译:alas / Gaas异质结中的价带偏移与带对准的经验关系。