Shenyang National Laboratory for Materials Science,Institute of Metal Research,Chinese Academy of Sciences,Shenyang 110016,China;
Shenyang National Laboratory for Materials Science,Institute of Metal Research,Chinese Academy of Sciences,Shenyang 110016,China;
机译:在SiC和GaN衬底上生长的InGaN / GaN多量子阱中V缺陷和螺纹位错的特定位置比较
机译:InGaN / GaN异质结构中的V缺陷和位错
机译:用混合源HVPE生长的掺Te的AlGaN覆盖层的选择性区域生长来表征AlGaN / InGaN / AlGaN异质结构
机译:ingaN / AlGaN多量子井异质结构的V-缺陷
机译:用于光子和声子应用的InGaN异质结构和GeSn纳米晶体的光学研究:发光二极管和声子腔。
机译:使用近场扫描光学显微镜对InGaN / GaN QWs LED中的V缺陷进行纳米级表征
机译:基于Ingan - AlGaN异质结构的光晶体管结构参数计算