SiC衬底弯曲度与GaN外延片弯曲度关系研究

摘要

采用MOCVD技术在SiC衬底上生长了GaN基外延材料,并研究了衬底弯曲度与外延弯曲度的关系,结果表明GaN外延材料弯曲度随着SiC衬底弯曲度的增大而增大。利用弹性动力学模型,计算了外延不同GaN层厚度时通过外延所引入的弯曲度,以及不同SiC衬底厚度与外延片弯曲度之间的关系。外延引入的弯曲度随着外延层厚度的增大而增大:外延引入的弯曲度随着衬底厚度的减小而增大。研究了衬底弯曲度的方向对外延片弯曲度的影响,当衬底弯曲度为负时,更有利于获得较小弯曲度的外延材料。