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TFA-MOD方法制备Y1-xHoxBa2Cu3O7-δ薄膜及性能研究

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采用三氟乙酸金属有机物沉积方法在不改变工艺条件下,在LaAlO3(001)衬底上制备了Y1-xHoxBa2Cu3O7-δ(x=0,0.1,0.2,0.3,0.4,0.5)薄膜.其中,Yo.6Hoo.4Ba2Cu3O7-δ的临界电流密度Jc最高,77K自场下是YBa2Cu3O7-δ的1.6倍.磁通钉扎类型并没有随Ho的替代而改变,依然为δl钉扎类型,是由于Y3+和Ho3+的离子半径相近的缘故.这种在不改变工艺参数条件下的Ho替代不失为一种提高Jc的有效方法.

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来源
《帕纳科第12届用户X射线分析仪器技术交流会》|2012年|115-122|共8页
会议地点杭州
作者
Hongbin Jian; 菅洪彬; 李琦; Qi Li; Dongqi Shi; 施东齐; Li Zhang; 张莉; Zhaorong Yang; 杨昭荣; Shixue Dou; 窦石学; 朱雪斌; Xuebin Zhu; Yuping Sun; 孙玉平;
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作者单位

帕纳科中国用户X射线分析仪器技术交流会组委会;

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会议组织
正文语种
原文格式 PDF
中图分类 TN304.21:TN304.055;
关键词
氧化钇钡铜薄膜; 三氟乙酸金属有机物沉积方法; 显微结构; 电学性能;

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