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SLD应变量的X衍射测试及分析

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本文通过MOCVD生长实验,利用HRXRD测试手段,来了解AlGaInAs体材料有源层的生长特性,从而指导工艺改进,优化工艺生长参数,通过获得最佳的应变量参数,来研制和生产出满足用户要求的SLD器件.

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来源
《帕纳科第12届用户X射线分析仪器技术交流会》|2012年|125-131|共7页
会议地点杭州
作者
Yang Xiaobo; 杨晓波; Liao Xiuying; 廖秀英;
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作者单位

帕纳科中国用户X射线分析仪器技术交流会组委会;

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会议组织
正文语种
原文格式 PDF
中图分类 TN312.8:TN305;
关键词
超辐射发光二极管; 金属有机化学; 气相沉淀工艺; 生长机理; X射线衍射;

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