肖特基结退化对热瞬态测量的影响及修正方法研究

摘要

目的：研究GaN HEMT器件中肖特基结的陷阱效应对利用正向肖特基电压测量瞬态温度曲线的影响,对测量结果提出了一种修正方法。方法：通过测量陷阱效应引起的正向电压变化,修正传统方法下瞬态温度曲线中利用结构函数法提取的热阻值。结果：修正后的结果具有高度一致性,这与器件加热阶段施加相同功率相吻合.结论：传统利用正向肖特基结电压方法测量温度瞬态曲线会受到陷阱效应的影响,该影响是由测试电流本身引起的.通过文中提出的方法,可以修正测定值,给出更为准确的器件纵向热阻构成.