一种改进的圆导体高频涡流损耗模型

摘要

绕组损耗是磁性元件设计的关键参数,备受关注.高频绕组涡流损耗包含集肤效应损耗和邻近效应损耗,现有计算高频绕组涡流损耗的理论方法有Dowell模型和Bessel模型,但高频情况下,随着邻近效应损耗的增加,Dowell模型和Bessel模型的局限性越来越突出.因此,本文基于高频绕组集肤效应和邻近效应所引起的分布规律,提出一种改进的高频绕组损耗模型,能够精确计算高频下的邻近效应损耗和集肤效应损耗,并且适用于圆导体的损耗计算.最后用2D有限元仿真验证所提出的损耗模型精度.