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YUAN Cuiping; 员翠平; LIU Shulin; 刘树林; CAO Jian; 曹剑; WANG Chuanliang; 王传良;
中国电源学会;
场效应P型晶体管; 驱动电路; 关断速度; 寄生参数;
机译:CMOS功率放大器使用PMOS驱动器级增强线性度的反相方法
机译:具有优化的泄漏功率和增强的性能的PMOS读取端口8T SRAM单元
机译:组合电路的时序驱动功率优化和功率驱动时序优化
机译:PPMOS的开关特性分析和驱动器优化
机译:自功率发射极关断(SPETO)晶闸管的开发与应用
机译:验证修订后的患者安全措施:PMOS-30和PMOS-10
机译:设计和制造带有集成关断驱动器的垂直功率mOsFET
机译:用于高级脉冲功率应用的20 kV,2 cm2,4H-sIC栅极关断晶闸管
机译:通过检测信号特性分析对高功率功率沉积进行优化和反馈控制
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