一台紧凑型D-D中子发生器

摘要

D-D中子发生器中子产额可调、关机时没有放射性的产生,有更好的安全性能,可代替同位素中子源,在中子应用技术方面有广泛的应用价值.兰州大学正在研制1台用于中子活化分析的紧凑型D-D中子发生器.该中子发生器采用双等离子源为其提供氘离子,并采用自注入靶结构,靶上由于离子轰击产生的二次电子用磁场来抑制.目前,样机已经搭建完成并正在对其进行相关的测试,结果表明,氘束能量140keV,高压负载电流为3mA的条件下,中子产额达到2.42×108n/s,并可在中子产额大于1×108n/s下连续稳定运行,高压打火的问题在测试过程中出现的频次较少,中子发生器的运行稳定性较好.