射频宽带低相噪CMOS压控振荡器设计与仿真

摘要

基于典型电感电容压控振荡器结构,采用压控可变电容和NMOS-PMOS对交叉耦合相结合,设计了一种宽带低相位噪声压控振荡器.在实现振荡频率及调谐范围的基础上,采用降低相位噪声技术,有效的降低了相位噪声.采用SMIC0.18μm CMOS工艺,利用Cadence中的Spectre RF工具对电路进行仿真.当电源电压VDD=1.8V时,其中心频率为7.5GHz,可调频率为7.1～7.9GHz;当输出频率为7.5GHz时,1MHz频偏处相位噪声为-108dBc/Hz.