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一种具有单一导电模式的RC-IGBT

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逆导型绝缘栅晶体管在正向导通时存在由单电子导电模式向双极性导电模式转换的过程,从而带来电流电压输出曲线上的负阻(snapback)现象,继而导致一系列的可靠性问题.本文提出一种具有单一导电模式的新结构逆导型绝缘栅晶体管,它可以有效地消除这种snapback现象.且经仿真验证,这种新结构还具有导通压降低,电流分布均匀等优势,另外这种新结构逆导型绝缘栅晶体管相比其它文献提出的逆导型绝缘栅晶体管工艺更简单,设计难度更低.

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来源
《2013年全国博士生学术论坛——电子薄膜与集成器件》|2013年|1-10|共10页
会议地点成都
作者
Weizhong Chen; 陈伟中; Bo Zhang; 张波; Zehong Li; 李泽宏; Yong Liu; 刘永; Zhaoji Li; 李肇基;
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作者单位

教育部;

国务院学位委员办公室;

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会议组织
正文语种
原文格式 PDF
中图分类绝缘栅场效应器件;
关键词
逆导型绝缘栅晶体管; 单一导电模式; 理论模型; 负阻现象;

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