反激变换器的传导EMI建模与分析

摘要

反激变换器是最常见的拓扑之一,具有效率高,变压范围广的特点,在电源适配器、LED驱动等场合中非常常用.但同时高频的开关动作会造成严重的电磁干扰(EMI),其对开关电源效率及安全使用的影响已成为人们关注的热点.本文针对目前现有模型中出现的仿真精度差,模型复杂,建模周期长等缺陷进行了深入研究,提出了通过对分立器件建立高频模型的传导EMI建模方法.利用Saber仿真软件中的Model Architect对MOSFET与功率二极管进行高频建模,主要关注其电容特性,同时通过谐振法获得无源器件及变压器模型并使用Q3D Extractor软件对PCB寄生参数进行了提取.进而按上述方法对一实际方案进行系统的整体建模,并验证了模型的准确性.并利用模型,分析了PCB关键部位布线对EMI的影响.结果显示,系统级主要参数误差不超过5％.传导EMI曲线峰值处误差不超过±5dB.