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一种用于InP基HBT器件的SDD模型

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本文采用一个七端口的符号定义器件SDD技术建立了一个InP HBT的大信号模型.此模型考虑了InP HBT的自热效应、准饱和效应等非理想效应.该模型的直流模型是基于VBIC模型的,电荷模型是基于Agilent模型的.模型内嵌入ADS中仿真并与测试结果进行比较,准确地模拟了InP HBT的器件特性.

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来源
《2013年全国博士生学术论坛——电子薄膜与集成器件》|2013年|149-155|共7页
会议地点成都
作者
Jincan Zhang; 张金灿; Yuming Zhang; 张玉明; Hongliang Lu; 吕红亮; Yimen Zhang; 张义门; Min Liu; 刘敏;
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作者单位

教育部;

国务院学位委员办公室;

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会议组织
正文语种
原文格式 PDF
中图分类 TN322.8;
关键词
磷化铟基异质结双极晶体管; 大信号模型; 符号定义器件; 非理想效应;

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