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侯瑞祥; 李磊; 方鑫; 孙国胜; 徐万劲; 肖池阶; 冉广照; 秦国刚;
厦门大学;
浙江大学;
硅元素; 碳化硅; 等离子体; 室温掺杂; 物理机制;
机译:掺杂硅和铝膜上使用掺杂硅光栅结构的表面等离子体谐振传感器的比较研究
机译:尾态联合密度法研究氢化非晶碳化硅薄膜的室温光致发光光谱及其在等离子体沉积氢化非晶碳化硅薄膜中的应用
机译:高密度Helicon波等离子体中有机硅的无定形碳化硅膜的高速,室温合成
机译:在硅和碳化硅衬底上由电流偏置的石墨烯增强的光学二次谐波产生
机译:通过室温,基于溶剂的四氯化硅化学还原,对铝掺杂的硅纳米粒子进行固溶相合成。
机译:氢等离子体处理非晶碳化硅基体减少硅量子点超晶格结构缺陷的研究
机译:硅上重掺杂锗,活化掺杂超过1020 cm-3,作为中红外等离子体金的替代品
机译:掺杂硅和硅化物上的长波等离子体;杂志文章
机译:在室温而不是室温下在无菌条件下进行生物学研究的实验工作台
机译:用于电子设备的太阳能电池制造涉及对在p掺杂多晶硅层上形成的n掺杂多晶硅层进行退火,以将其非晶硅转变为多晶硅
机译:约瑟夫森隧道二极管结mfr。 -使用室温涉及将铌掺杂的铝或硅气相沉积到氧化的铌层上的工艺
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