外源Si对不同品种水稻Cd、As迁移积累的影响

摘要

采用水稻盆栽试验,在重金属Cd、As污染土壤中施加不同浓度的Si肥(0、20、40、80、160mg·kg-1),研究基施Si肥对两个不同品种水稻(威优46号和湘晚籼12号)Cd、As迁移积累的影响.结果表明,外源Si能显著增加两个品种水稻土的有效Si、有效As含量及土壤pH值(p<0.05).随施Si量的增加,威优46号的根系、谷壳、糙米Cd含量有增加趋势,茎叶的Cd含量则呈逐渐降低趋势;湘晚籼12号的根系、谷壳、茎叶和糙米Cd含量整体上增加.在试验设定的施Si水平下,两个品种水稻糙米Cd含量均低于国家食品污染物限量标准(0.2mg·kg-1).同时,两个品种水稻各部位As含量基本随施Si量的增加而降低,当施硅量为80mg·kg-1和160mg·kg-1时,糙米中As含量均达到最低值,较CK分别降低62.8％和38.3％.